SRAM Cells with Asymmetrical Access Transistors for Enhanced Read Data Stability and Write Ability
本申请公开了非对称晶体管、采用所述非对称晶体管的静态随机访问存储器，以及所述静态随机访问存储器的控制方法。所述非对称晶体管包括：位于晶体管第一端的第一掺杂区和位于晶体管第二端的第二掺杂区，第二端沿着第一方向与第一端相对；位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的沟道区；以及设置于沟道区上的栅极。其中，第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型杂质，晶体管从第一端到第二端的导通电流与从第二端到第一端的导通电流大小不同。根据本申请的装置和方法，在数据存取过程中，数据读取稳定性增强、数据写入能力提高并且漏电功耗减少。
Countries or Regions:
China
Invention Code:
TTC.PA.621
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okt@ust.hk
Authors:
Key Features:
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Category:
TAP - Microelectronics
Reference:
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