Multi-Threshold Voltage SRAM Cells with Suppressed Leakage Currents and Enhanced Data Stability
本申请公开了涉及数据存储领域的一种静态随机访问存储器及其控制方法。所述静态随机访问存储器包括至少一个静态随机访问存储器单元，所述静态随机访问存储器单元包括：反相器组，写位线访问开关，连接于反相器组的输出端口与读位线之间的读位线访问开关，以及连接于读位线访问开关与地线或供电网络之间、用于控制其断开和连接的读操作开关。其中，反相器组输出端口的输出电压对读位线访问开关进行控制，以控制读位线与读操作开关的断开和连接。根据本申请的装置和方法，在数据存取过程中，数据稳定性得以提高，并且漏电功耗得以降低
Countries or Regions:
China
Invention Code:
TTC.PA.480
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okt@ust.hk
Authors:
Key Features:
Specification:
Category:
TAP - Microelectronics
Reference:
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